Samsung verspricht schnellere SSDs

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Samsung startet im Juli die Produktion seiner neuen SSD-Generation. Unter Verwendung von DDR-NAND-Chips sollen Datendurchsätze von bis zu 250 MByte/s erreicht werden.

Die DDR-NAND-Chips verfügen über eine Kapazität von jeweils 32 GBit. Über eine asynchrone DDR-Schnittstelle sollen sie 133 MBit/s an Daten übertragen statt normaler 40 MBit/s. Im Zusammenspiel mit einer 3 GBit/s schnellen SATA-Schnittstelle komme man laut Samsung letztendlich auf einen Datendurchsatz von 250 MByte/s beim Lesen und 220 MByte/s beim Schreiben.

Die mit 30 Nanometer-Technologie gefertigten SSDs sollen so energieeffizient arbeiten wie 40 nm-Platten mit 256 GByte Speicherkapazität. Samsung selbst bietet seine SSDs in Ausführungen zwischen 64 GByte und 512 GByte an. Ein neuartiger Controller soll das Nutzerverhalten analysieren und so für geringeren Stromverbrauch sorgen.

Preise für die mit AES-Verschlüsselung ausgestatteten SSDs wurden bislang noch nicht genannt.

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