NAND-Flash-Speicher: Samsungs DDR-2.0-Chips bringen dreifache Geschwindigkeit

Florian Matthey
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Einer der wichtigsten Vorteile von NAND-Flash-Speicher gegenüber Festplatten ist die Geschwindigkeit. Samsung möchte die Speicherchips weiter beschleunigen: Die Koreaner haben mit der Produktion von DDR-2.0-Multi-Level-Cell-Speicherchips begonnen, die nicht nur rund dreimal so schnell wie herkömmliche Flash-Chips sein sollen, sondern auch deutlich mehr Kapazität bieten: 64 Gigabit pro Chip, also doppelt so viel wie ihre DDR-1.0-Vorgänger.

Die einzelnen von Samsung in einer 20-Nanometer-Fertigungsmethode produzierten 64-Gigabit-Chips bieten Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 400 Megabit pro Sekunde. Herkömmliche Single-Data-Rate-Chips (SDR), die noch in den meisten Flash-Datenträgern auf dem Markt zum Einsatz kommen, bieten lediglich Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 40 Megabit pro Sekunde, selbst Double-Data-Rate-Chips der ersten Generation, also DDR 1.0, schaffen nur rund 133 Megabit.

Mit den neuen Chips sieht sich Samsung bereit für neue, leistungsfähige Anschlussstandards wie USB 3.0 und SATA-Schnittstellen, die bis zu 6 Gigabit pro Sekunde leisten. Die Chips können aber auch Mobil-Geräte wie Smartphones oder Tablets deutlich beschleunigen.

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