Schneller und kleiner: Intel und Micron stellen „bahnbrechende“ Speichertechnologie vor

Rafael Thiel

Einem Joint Venture aus Intel und Micron ist laut eigener Aussage ein Durchbruch bei der Speichertechnologie gelungen: Die beiden Halbleiterhersteller haben eine Flash-Alternative namens 3D XPoint entwickelt, die ungeahnte Arbeitsgeschwindigkeiten erreicht und gleichzeitig deutlich langlebiger als bestehende Lösungen sein soll. Der neue Speicherchip soll Intel zufolge bis zu 1000-mal flotter unterwegs sein als bisherige NAND-Flash-Einheiten.

Schneller und kleiner: Intel und Micron stellen „bahnbrechende“ Speichertechnologie vor

Die nichtflüchtige 3D XPoint-Technologie basiert auf einem „dreidimensionalem Schachbrett“, heißt es im Ankündigungstext, das die Speicherzellen an den jeweiligen Schnittpunkten unterbringt und infolgedessen ein gutes Stück kompakter als flüchtige DRAM-Chips ist. Die Rede ist von acht- bis zehnmal so vielen Bits pro Quadratzentimeter. Dem liegt zugrunde, dass keine platzintensiven Transistoren benötigt werden. Es sei erwähnt, dass auch aktuelle SSD-Chips mit dreistufigen NAND-Speicherzellen (TLC-NAND) erheblich dichter gebaut sind als Dynamic Random Access Memory-Einheiten. Wie das Ganze aussieht, erklärt das nachfolgende Video:

3D XPoint | Intel und Micron.

Intel und Micron versprechen bis zu 1000-mal schnellere Zugriffe

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Neben der kompakten Bauweise sorgen natürlich vor allem die schnellen Zugriffszeiten für Aufsehen. Die nichtflüchtigen 3D XPoint-Chips (vermutlich „Crosspoint“ gesprochen) versprechen bis zu 1000-mal schneller arbeiten zu können als gewöhnliche NAND-Pendants; beziehungsweise bis zu 100-mal schneller als aktuelle NVM Express-SSDs – NVM steht übrigens für „non-volatile memory“ (zu Deutsch: „nichtflüchtiger Speicher“) und bedeutet, dass gespeicherte Daten dauerhaft und ohne aktiven Stromzufluss erhalten bleiben. Darüber hinaus sollen die Speicherzellen auch bis zu 1000-mal häufiger überschreibbar sein als ihre NAND-Gegenstücke. Bei letzteren schwankt die maximale Anzahl der Löschzyklen je nach Hersteller und Technik zwischen 3.000 und mehreren 100.000 – auf welche Zahl sich Intel bezieht, ist unklar.

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Das hat der Verbraucher von 3D XPoint

Doch was hat der durchschnittliche Nutzer von 3D XPoint? Nun, der Endverbraucher wird die Technologie vermutlich nicht so bald in den Händen halten können. Allerdings dürften Server- und Datenzentren ungemein von den schnelleren Lese- und Schreib-Zugriffen profitieren und somit letztendlich beispielsweise Interaktionen im Internet (etwa Social Media-Plattformen) beziehungsweise Online-Gaming für jedermann verbessern. Außerdem könnte die Medizin-Forschung von den Echtzeitzugriffen auf große Datenmengen profitieren, etwa bei Gen-Analysen.

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Die Technologie steht noch am Anfang und liegt aktuell nur in doppelter Schichtung vor – zum Vergleich: Samsung aber auch Intel und Micron selbst liefern manche NAND-Speicher mit 32 Lagen aus, woraus wiederum kompaktere Speichermedien resultieren. Nichtsdestotrotz hat Intel angekündigt, dieses Jahr noch erste Musterstücke mit 128 Gigabit an Entwicklungspartner zu verteilen. Vor 2016 ist mit kommerziellen Produkten aber nicht zu rechnen.

Quelle: Intel, Micron via Heise

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