Snapdragon 830: Quick Charge 4.0 soll Akkuladerekord brechen

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Mit dem Snapdragon 830 wird Qualcomm auch seinen neuen Schnellladestandard Quick Charge 4.0 einführen. Wie ein Insider jetzt berichtet, schafft dieser eine Leistung von bis zu 28 Watt. Das wird für neue Spitzenladezeiten sorgen.

Aktuelle Standards basierend auf Qualcomms Quick Charge 3.0 benötigen heute schon kaum länger als eine Stunde, um das Smartphone komplett aufzuladen. Doch wie ein Accessoire-Hersteller erfahren haben will, schafft es der neue Snapdragon 830 Chip den Akku noch viel schneller auf 100 Prozent zu bringen, ohne dass die Zellen dabei Schaden nehmen. Eine Technologie namens Negotiation for Optimum Voltage (INOV) soll während des gesamten Ladevorgangs die maximal mögliche Leistung ermitteln.

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Die neuen Ladegeräte, die Quick Charge 4.0 unterstützen, sollen unter 9 Volt Spannung 4 Ampere ausgeben. Bei 5 Volt sind sogar 5,6 Ampere möglich – damit wird der Strom mit bis zu 28 Watt ins Smartphone gepumpt. Zum Vergleich: Quick Charge 3.0 schafft aktuell „nur“ maximal 18 Watt. Wenn der Akku zu heiß wird, soll die Leistung durch INOV automatisch heruntergeregelt werden. Rein rechnerisch würde daraus fast eine Halbierung der Ladezeit resultieren. Damit könnten die Smartphones innerhalb von weniger als 15 Minuten von 0 auf 80 Prozent gebracht werden. Quick Charge 3.0 brauchte noch 36 Minuten.

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Qualcomm soll den Snapdragon 830 laut aktuellen Gerüchten im Frühjahr 2017 vorstellen. Die ersten Smartphones, die den Chip verbaut haben, werden wohl das Samsung Galaxy S8 und das OnePlus 4 sein.

Quelle: Phone Arena

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Video: Qualcomm Quick Charge 3.0

Qualcomm Quick Charge 3.0.

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Marco Di Lorenzo
Marco Di Lorenzo, GIGA-Experte.

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