Snapdragon 835 vorgestellt: Qualcomms neuer Power-Prozessor ist 27 Prozent schneller

Kaan Gürayer 2

Auf einem Presseevent hat Qualcomm den neuen Snapdragon 835 vorgestellt. Das neue SoC wird von Samsung im 10-nm-FinFET-Verfahren hergestellt und soll so im Vergleich zum Vorgänger entweder 27 Prozent schneller, oder 40 Prozent energieeffizienter sein. 

Snapdragon 835 vorgestellt: Qualcomms neuer Power-Prozessor ist 27 Prozent schneller
Bildquelle: Qualcomm (Screenshot).

Mit dem neuen High-End-Prozessor verabschiedet sich Qualcomm von seinem gewohnten Versionsschema – nach Snapdragon 810 und 820 wurde eigentlich ein erneuter Zehnersprung und damit die Enthüllung des Snapdragon 830 erwartet. Dass sich die kalifornische Chipschmiede nun für den Snapdragon 835 als Bezeichnung entschieden hat, lässt auf deutliche Verbesserungen gegenüber dem Vorgänger-SoC hoffen.

Zwar wurden auf dem Snapdragon Tech Summit in New York City keine Fragen zu Die-Size, Package-Maßen oder Transistordichte beantwortet, dafür fasste Samsungs Ben Suh, seines Zeichens Senior VP für Foundry Marketing, die Features des Snapdragon 835 zusammen: Das SoC wird im 10-nm-FinFET-Verfahren gefertigt, was in einer 30 Prozent kleineren Chip-Fläche resultiert. Damit kann der SD 835 wahlweise 27 Prozent schneller arbeiten oder 40 Prozent weniger Energie aufnehmen. Die Unterstützung von Qualcomms Quick Charge 4.0 ist ebenfalls an Bord.

Nächste Flaggschiff-Generation mit Snapdragon 835

Wie bereits beim Snapdragon 820 wird Samsung als Auftragshersteller für Qualcomms neuen Power-Prozessor fungieren. Erste Geräte auf Basis des Snapdragon 835 sollen im ersten Halbjahr 2017 erhältlich sein, wozu mit Sicherheit die nächste Flaggschiff-Generation der großen Smartphone-Hersteller gehören wird. Laut Samsung wird der Chip bereits seit einigen Wochen in Serienproduktion gefertigt.

Quelle: Golem

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