Smartphone-Hersteller auf der ganzen Welt versuchen Jahr für Jahr die Leistung zu steigern und gleichzeitig die Effizienz der Geräte zu verbessern. Samsung und IBM soll nun wirklich ein Durchbruch im Prozessor-Design gelungen sein. Smartphones könnten so eine erheblich höhere Laufzeit bieten.

 
Samsung Electronics
Facts 

Samsung und IBM gelingt Durchbruch bei Halbleiterdesign

In jedem Smartphone arbeitet ein Prozessor, der auf einem gewissen Halbleiterdesign basiert. Genau da ist IBM in Kooperation mit Samsung ein Durchbruch gelungen. Die Transistoren arbeiten mit dem neuen „Vertical Transport Field Effect Transistors“-Verfahren (VTFET) vertikal, können so viel schneller Berechnungen durchführen und benötigen dabei erheblich weniger Energie.

IBM und Samsung nennen auch konkrete Zahlen. Die Leistung der neuen Prozessoren soll sich verdoppeln und gleichzeitig der Energiebedarf um 85 Prozent gesenkt werden. Konkret würde das bedeuten, dass ein leistungsstarkes Smartphone dann nicht nur einen oder zwei Tage durchhält mit einer Akkuladung, sondern eine Woche. Das hätte natürlich einen erheblichen Effekt auf die Nutzung von Smartphones.

Im nachfolgenden Video wird die Technologie von IBM und Samsung im Detail erklärt:

Zu früh dürfen wir uns aber nicht freuen. IBM und Samsung ist der Durchbruch mit dem „Vertical Transport Field Effect Transistors“-Verfahren zwar jetzt gelungen, doch bis wir wirklich Endgeräte mit Prozessoren erhalten, die auf diese Technologie setzen, dürfte noch einige Zeit vergehen. Trotzdem ist es wichtig zu sehen, dass in diesem Sektor so ein großer Schritt gemacht wurde und wir die physischen Grenzen des Halbleiterdesigns noch nicht erreicht haben.

Samsung will Akku beim Galaxy S22 verkleinern

Samsung wird bald seine neuen Galaxy-S22-Smartphones vorstellen und dort wohl kleinere Akkus als in den Vorgängern verbauen. Dort kommt zwar auch ein etwas effizienterer Prozessor zum Einsatz, doch die Laufzeit könnte trotzdem darunter leiden. Spätestens dann, wenn Samsung Prozessoren auf Basis der neuen VTFET-Technologie bauen wird, könnte das kaum mehr einen Unterschied machen.